教育背景

2014.09~2018.06 南昌大学，新能源材料与器件，本科

2018.09~2021.06 华南理工大学，材料工程，硕士

2021.09~2025.06 华南理工大学，材料科学与工程，博士

2025.07~至今 性爱视频-ktv性爱视频 ，讲师

科学研究

（一）承担的研究项目

（1）高频宽带移动通信用滤波器关键技术研究及产业化应用，国家重点研发计划，2022，参与

（2）薄膜生长缺陷跨时空尺度原位监测与调控实验装置，国家重大科研仪器专项，2019，参与

（二）发表的学术论文和著作

（1）X. Tang, H. Jiang, Z. Lin, X. Wang, W. Wang, G. Li, Wafer-scale Vertical 1D GaN Nanorods/2D MoS₂/PEDOT:PSS for Piezophototronic Effect Enhanced Self-powered Flexible Photodetectors, Nano-Micro Letters 2024, 40820.

（2）X. Tang, Y. Zheng, B. Cao, Q. Wu, J. Liang, W. Wang, G. Li, GaN Nanowire/Nb-Doped MoS₂ Nanoflake Heterostructures for Fast UV−Visible Photodetectors, ACS Applied Nano Materials 2022, 5, 4515−4523.

（3）Y. Zheng, X. Tang, W. Wang, G. Li, Large-Size Ultrathin α-Ga₂S₃ Nanosheets toward High-Performance Photodetection, Advanced Functional Materials 2020, 31, 2008307.

（4）Y. Zheng, X. Tang, W. Wang, G. Li, Vertically aligned GaN nanorod arrays/p-Si heterojunction self-powered UV photodetector with ultrahigh photoresponsivity, Optics Letters 2020, 45, 4843-4846.

（5）Y. Zheng, B. Cao, X. Tang, G. Li, Vertical 1D/2D Heterojunction Architectures for Self-Powered Photodetection Application: GaN Nanorods Grown on Transition Metal Dichalcogenides, Acs Nano 2022, 16, 2798-2810.

（三）专利情况

（1）唐鑫，李国强，郑昱林，一种MXenes上低维AlN材料制备方法及应用，授权发明专利，ZL 202210972392.2

（2）唐鑫，李国强，郑昱林，一种MoS₂上低维AlN材料制备方法及应用，授权发明专利，ZL 202210972481.7

（3）李国强，唐鑫，王文樑，胡智凯，一种基于Cu衬底HEMT器件及其制备方法，授权发明专利，ZL201911172837.3

（4）李国强，唐鑫，王文樑，胡智凯，一种晶圆级MoS₂单层薄膜制备方法，授权发明专利，ZL201911018812.8

获奖与荣誉：（如有）

（1）2023年中国国际“互联网+”大学生创新创业大赛金奖，国家级，排名第一

（2）2024年有色金属工业技术发明奖一等奖，省部级，排名第六